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APS256XXN-OB9-BG

Name: AP Memory Technology APS256XXN-OB9-BG
Brand: AP Memory
SKU: 878-APS256XXN-OB9-BG
Price: 4.5 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

878-APS256XXN-OB9-BG

Fabricante N.º:

APS256XXN-OB9-BG

Fabricante:

AP Memory

Descripción:

DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24

Hoja de datos:

APS256XXN-OB9-BG Hoja de datos

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	$3.67	$1,835.00
	$3.58	$3,580.00
	$3.47	$8,675.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	AP Memory Technology
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	PSRAM (Pseudo SRAM)
Tamaño de memoria:	256 Mbit
Ancho de bus de datos:	8 bit / 16 bit
Frecuencia de reloj máxima:	250 MHz
Paquete / Cubierta:	BGA-24
Organización:	32 M x 8/16 M x 16
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.62 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.98 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	IoT RAM
Empaquetado:	Tray
Marca:	AP Memory
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	4800
Subcategoría:	Memory & Data Storage

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CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320024
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

APSx Double-Data-Rate Octal SPI PSRAMs

AP Memory APSx Double-Data-Rate (DDR) Octal SPI PSRAMs feature a 1.62V_DD to 1.98V_DD single supply voltage range, clock rate up to 200MHz (400MBps read/write throughput), and software reset. These devices also feature Data Mask (DM) for a write operation, a Data Strobe (DQS) for a high-speed read operation, and an output driver LVCMOS with programmable drive strength. The Octal SPI with DDR OctaRAM mode PSRAMs are byte-addressable and operate between -40°C to 85°C temperature range. These devices are available in mini-BGA 24L 6mm x 8mm x 1.2mm package.