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IM2G04D2DBBG-25

Name: Intelligent Memory IM2G04D2DBBG-25
Brand: Intelligent Memory
SKU: 822-IM2G04D2DBBG-25
Price: 43.21 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

822-IM2G04D2DBBG-25

Fabricante N.º:

IM2G04D2DBBG-25

Fabricante:

Intelligent Memory

Descripción:

DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 512Mx4, 400MHz (800Mbps), 0C to +95C, FBGA-60

Hoja de datos:

IM2G04D2DBBG-25 Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$43.21	$43.21
	$39.99	$399.90
	$38.71	$967.75
	$37.76	$1,888.00
	$36.75	$3,675.00
	$35.35	$9,332.40

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Intelligent Memory
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM - DDR2
Tamaño de memoria:	2 Gbit
Ancho de bus de datos:	4 bit
Frecuencia de reloj máxima:	400 MHz
Paquete / Cubierta:	FBGA-60
Organización:	512 M x 4
Tiempo de acceso:	400 ps
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.7 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.9 V
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 95 C
Serie:	IM2G04D2
Empaquetado:	Tray
Marca:	Intelligent Memory
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	264
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	58 mA
Peso de la unidad:	179 mg

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Hoja de datos

IM2G04D2DBBG-25 Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Dynamic Random Access Memory (DRAM)

Intelligent Memory Dynamic Random Access Memory (DRAM) includes a full range of JEDEC-compliant DRAMs and ECC DRAMs (SDRAM, DDR, DDR2, DDR3, DDR4, LPDDR4). From an application's point of view, these components work like a monolithic device. The DRAM devices allow for maximum levels of memory density without altering existing board layouts or designs.

Double Data Rate 2 (DDR2) SDRAM

Intelligent Memory Double Data Rate (DDR2) Synchronous DRAM (SDRAM) are eight-bank devices that achieve high-speed data transfer rates. Interleaving the eight memory banks allows random access operations faster than standard DRAMs. A chip architecture prefetches multiple bits and then synchronizes the output data to a system clock. All control, address, and circuits are synchronized with the positive edge of an externally supplied clock. In a source-synchronous manner, I/Os are synchronized with a pair of bidirectional strobes. A sequential, gapless data rate is possible depending on the device's burst length, CAS latency, and speed grade.