CGH60030D-GP4

MACOM
941-CGH60030D
CGH60030D-GP4

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt

Modelo ECAD:
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100 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
MACOM
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
Die
N-Channel
2 Channel
120 V
3 A
500 mOhms
- 3 V
Marca: MACOM
Configuración: Dual
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: US
Ganancia: 15 dB
Frecuencia de trabajo máxima: 6 GHz
Frecuencia de trabajo mínima: 4 GHz
Potencia de salida: 30 W
Empaquetado: Waffle
Producto: GaN HEMTs
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica: 10
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: GaN HEMT
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente: - 10 V to 2 V
Peso de la unidad: 7.326 g
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Atributos seleccionados: 0

                        
Cree RF Products

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5-0614-38

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.