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PCDD08120G1_L2_00001

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Mouser N.º:

241-PCDD08120G1L2001

Fabricante N.º:

PCDD08120G1_L2_00001

Fabricante:

Panjit

Descripción:

SiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode

Hoja de datos:

PCDD08120G1_L2_00001 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
Restricción de entrega:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-252AA-3
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	8 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión directa:	1.5 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	560 A
Ir - Corriente inversa:	6 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	SiC Gen.1
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Panjit
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Dp - Disipación de potencia :	156.3 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Peso de la unidad:	321.700 mg

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CNHTS:: 8541100000
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TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT SiC Schottky Barrier Diodes provide zero reverse recovery current, low forward voltage drop, and temperature-independent switching behavior. The devices have a high surge current capability, and excellent thermal performance. Silicon carbide technology provides lower conduction losses. The diodes can deliver stability and high ruggedness throughout -55°C to +175°C operating temperature range.