RF2L16180CF2
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511-RF2L16180CF2
RF2L16180CF2
Fabricante:
Descripción:
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos:
Disponibilidad
-
Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
-
52 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
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Precio (USD)
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 120) | ||
| $121.00 | $14,520.00 | |
Hoja de datos
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290055
- JPHTS:
- 854129000
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
