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DMG4468LFG-7

Name: Diodes Incorporated DMG4468LFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMG4468LFG-7
Price: 0.34 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

621-DMG4468LFG-7

Fabricante N.º:

DMG4468LFG-7

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD

Hoja de datos:

DMG4468LFG-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-3030-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	7.62 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	10 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	18.85 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	990 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	6.01 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	14.53 ns
Serie:	DMG4468
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	18.84 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5.46 ns
Peso de la unidad:	13 mg

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DMG4468LFG-7 Hoja de datos (PDF)

PCN

PRODUCT CHANGE NOTICE (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

DMG44x & DMG48x Enhancement Mode MOSFETs

The Diodes Inc. DMG44x and DMG48x Enhancement Mode MOSFETs are high-reliability N-channel enhancement mode MOSFETs. These DMG44x and DMG48x enhancement mode MOSFETs feature low on-resistance, low input capacitance, fast switching speed, and low input/output leakage.