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DMN53D0LDW-7

Name: Diodes Incorporated DMN53D0LDW-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN53D0LDW-7
Price: 0.34 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

621-DMN53D0LDW-7

Fabricante N.º:

DMN53D0LDW-7

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

Hoja de datos:

DMN53D0LDW-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.34	$0.34
	$0.208	$2.08
	$0.13	$13.00
	$0.099	$49.50
	$0.074	$74.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.057	$171.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-363-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	50 V
Id - Corriente de drenaje continua:	360 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.6 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	800 mV
Qg - Carga de puerta:	600 pC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	310 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	11 ns, 11 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	2.5 ns, 2.5 ns
Serie:	DMN53
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	19 ns, 19 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	2.7 ns, 2.7 ns
Peso de la unidad:	7.500 mg

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Hoja de datos

DMN53D0LDW-7 Hoja de datos (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

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