GCMS020B120S1-E1

SemiQ
148-GCMS020B120S1-E1
GCMS020B120S1-E1

Fabricante:

Descripción:
Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET & 50A SBD SOT-227

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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SemiQ
Categoría de producto: Módulos de semiconductores discretos
Restricción de entrega:
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RoHS:  
MOSFET-SiC SBD Modules
Silicon Carbide (SiC) Module
SiC
1.49 V
- 5 V, + 10 V
Screw Mount
SOT-227-4
- 55 C
+ 175 C
GCMS
Tube
Marca: SemiQ
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: PH
Tiempo de caída: 25 ns
Id - Corriente de drenaje continua: 113 A
Dp - Disipación de potencia : 395 W
Tipo de producto: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 28 mOhms
Tiempo de subida: 8 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Discrete Semiconductor Modules
Polaridad del transistor: N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 46 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 25 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 1.2 kV
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.

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