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GCMX020A120B2H2P

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Mouser N.º:

148-GCMX020A120B2H2P

Fabricante N.º:

GCMX020A120B2H2P

Fabricante:

SemiQ

Descripción:

MOSFET Modules 1200V, 20mohm SiC MOSFET Full Bridge Module

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

GCMX020A120B2H2P Hoja de datos (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Press Fit
Paquete / Cubierta:	B2
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	4 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	102 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	28 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	333 W
Serie:	GCMX
Empaquetado:	Bulk
Marca:	SemiQ
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	16 ns
Altura:	15 mm
Longitud:	62.8 mm
Producto:	Modules
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	8 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	40
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tiempo de retardo de apagado típico:	48 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	25 ns
Vf - Tensión directa:	3.2 V
Ancho:	33.8 mm

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Hoja de datos

GCMX020A120B2H2P Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Módulos de puente completo MOSFET SiC de 1,200 V GCMX

Los módulos de puente completo MOSFET SiC de 1200 V GCMX de SemiQ ofrecen bajo nivel de pérdidas de conmutación, baja resistencia térmica de unión a carcasa y montaje muy resistente y sencillo. Estos módulos se montan directamente en el disipador térmico (paquete aislado) e incluyen una referencia Kelvin para un funcionamiento estable. Todas las piezas se han probado rigurosamente para resistir voltajes superiores a 1350 V. La característica destacada de estos módulos es el sólido voltaje de fuente de drenado de 1200 V. Los módulos de puente completo GCMX funcionan a una temperatura de unión de 175°C y cumplen con las normas RoHS. Las aplicaciones típicas incluyen inversores fotovoltaicos, cargadores de batería, sistemas de almacenamiento de energía y convertidores CC a CC de alto voltaje.