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IPB95R130PFD7ATMA1

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Mouser N.º:

726-IPB95R130PFD7ATM

Fabricante N.º:

IPB95R130PFD7ATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFETs HIGH POWER_NEW

Hoja de datos:

IPB95R130PFD7ATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Restricción de entrega:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	950 V
Id - Corriente de drenaje continua:	36.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	130 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	141 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	227 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	AT
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	3.6 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	14 ns
Serie:	IPB95R130PFD7
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	118 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	25 ns
Alias de las piezas n.º:	IPB95R130PFD7 SP005547005

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs offer super junction (SJ) technologies. The SJ technology is ideal for lighting and industrial SMPS applications by incorporating best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. The PFDJ provides an integrated ultra-fast body diode allowing usage in resonant topologies with the lowest reverse recovery charge (Qrr).