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IS43TR16128DL-107MBL-TR

Name: ISSI IS43TR16128DL-107MBL-TR
Brand: ISSI
SKU: 870-43TR16128DL17MBT
Price: 8.41 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

870-43TR16128DL17MBT

Fabricante N.º:

IS43TR16128DL-107MBL-TR

Fabricante:

ISSI

Descripción:

DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L

Hoja de datos:

IS43TR16128DL-107MBL-TR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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$-.--

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$-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$8.41	$8.41
	$7.82	$78.20
	$7.58	$189.50
	$7.40	$370.00
	$7.23	$723.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$7.23	$10,845.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ISSI
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM - DDR3L
Tamaño de memoria:	2 Gbit
Ancho de bus de datos:	16 bit
Frecuencia de reloj máxima:	933 MHz
Paquete / Cubierta:	BGA-96
Organización:	128 M x 16
Tiempo de acceso:	20 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.283 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.45 V
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 95 C
Serie:	IS43TR16128DL
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	ISSI
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	110 mA

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Hoja de datos

IS43TR16128DL-107MBL-TR Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8542320036
ECCN:: EAR99

IS43TRx 2GB DDR3 SDRAMs

ISSI IS43/46TRx DDR3 SDRAMs deliver high-speed SDRAM in a small BGA-96 or BGA-78 package. ISSI 2GBit DDR3 SDRAM features 128Mx16 or 256Mx8 organization and supply voltage at 1.35V with a maximum clock frequency of 666MHz or 800MHz. Features include bidirectional differential data strobe, data masking per byte on Write commands, programmable burst length of 4 or 8, with programmable CAS latency. Applications include telecom and networking, automotive, and industrial embedded computing.