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MMBT5551W_R1_00701

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Mouser N.º:

241-MMBT5551WR100701

Fabricante N.º:

MMBT5551W_R1_00701

Fabricante:

Panjit

Descripción:

Bipolar Transistors - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

Hoja de datos:

MMBT5551W_R1_00701 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
Restricción de entrega:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-323-3
Polaridad del transistor:	NPN
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	160 V
Tensión VCBO colector-base:	180 V
Voltaje VEBO emisor-base:	6 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	200 mV
Dp - Disipación de potencia :	200 mW
Producto para ganar Ancho de banda fT:	300 MHz
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Panjit
Corriente continua del colector:	600 mA
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima:	80 V at 10 mA, 5 V
Máx. ganancia de CC hFE:	250 V at 10 mA, 5 V
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	5 mg

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Hoja de datos

MMBT5551W_R1_00701 Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors

PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors offer a collector-emitter voltage (V_CE) of 160V and a collector current (I_C) rating of 600mA. The PANJIT MMBT5551W is suitable for a wide range of electronic applications. This transistor is environmentally friendly, lead-free, and complies with EU RoHS 2.0 regulations. Additionally, it features a green molding compound that meets the IEC 61249 standard.