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RF3L05150CB4

Name: STMicroelectronics RF3L05150CB4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-RF3L05150CB4
Price: 192.64 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-RF3L05150CB4

Fabricante N.º:

RF3L05150CB4

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor

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RF3L05150CB4 Hoja de datos (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tecnología:	Si
Id - Corriente de drenaje continua:	2.5 A
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	28 V
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1 Ohms
Frecuencia de trabajo:	945 MHz
Ganancia:	16 dB
Potencia de salida:	150 W
Temperatura de trabajo máxima:	+ 200 C
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	LBB-4
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Número de canales:	1 Channel
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	100
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Peso de la unidad:	2.400 g

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Hoja de datos

RF3L05150CB4 Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RF3L05150CB4 RF Power LDMOS Transistor

STMicroelectronics RF3L05150CB4 RF Power LDMOS Transistor is a 150W, 28/32V LDMOS FET designed for wide-band communication and ISM applications. The STM RF3L05150CB4 LDMOS Transistor is designed for applications with frequencies from HF to 1GHz. The RF3L05150CB4 can be used in class AB, B, or C for all typical modulation formats.

LET RF Power Transistors

STMicroelectronics LET RF Power Transistors are a common source N-Channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. These transistors are based on the new advanced STH5P LDMOS technology and are targeted for operation up to 2.0GHz. STMicroelectronics LET RF Power Transistors are specifically designed for 28V (cellular base stations) and 32/36V (avionics) applications. These devices have a significant improvement in terms of RF performance (+3dB gain, +15% efficiency), ruggedness, and reliability makes this new product line ideal in applications such as private mobile radio, government communications, avionics systems, and L-band satellite uplink equipment.