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SCT4045DLLTRDC

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Mouser N.º:

755-SCT4045DLLTRDC

Fabricante N.º:

SCT4045DLLTRDC

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

SiC MOSFETs TOLL 750V 37A SIC

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

SCT4045DLLTRDC Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TOLL-9
Polaridad del transistor:	N Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	750 V
Id - Corriente de drenaje continua:	37 A
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.8 V
Qg - Carga de puerta:	63 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 V
Dp - Disipación de potencia :	133 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	9.3 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Producto:	SiC MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	16 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	5.1 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	27 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [R_DS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (I_D) and source current (I_S) (T_C=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.