UF3C065080B3

onsemi
431-UF3C065080B3
UF3C065080B3

Fabricante:

Descripción:
SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263

Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre onsemi UF3C065080B3
Mouser actualmente no vende este producto en su región.

Disponibilidad

Existencias:

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
Restricción de entrega:
 Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:  
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
25 A
100 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
115 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
Marca: onsemi
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 12 ns
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Empaquetado: MouseReel
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 13 ns
Serie: UF3C
Cantidad de empaque de fábrica: 800
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tiempo de retardo de apagado típico: 50 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 25 ns
Peso de la unidad: 2.163 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D2PAK-3, D2PAK-7, D2PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

UF3C SiC FETs in D2-PAK Package

onsemi UF3C SiC FETs in D2-PAK-3L and D2-PAK-7L surface-mount packages are based on a unique cascode circuit configuration and feature excellent reverse recovery. In the cascode circuit configuration, a normally-on SiC JFET is co-packaged with a Si MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. These onsemi SiC FETs offer low body diode, low gate charge, and a 4.8V threshold voltage that allows 0V to 15V drive. These D2-PAK SiC FET devices are ESD protected and provide package creepage and clearance distance of >6.1mm. The standard gate-drive characteristics of the FETs are drop-in replacements for Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs, or Si superjunction. They are available in 1200V and 650V drain-source breakdown voltage variants and are ideal for use in any controlled environment such as telecom and server power, industrial power supplies, motor drives, and induction heating.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.