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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3
- SPW35N60C3FKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$9.50
-
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPW35N60C3FKSA1
NRND
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3
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|
$9.50
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$5.62
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$5.12
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
- IPA65R190CFDXKSA2
- Infineon Technologies
-
1:
$3.55
-
500En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R190CFDXKSA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
|
|
500En pedido
|
|
|
$3.55
|
|
|
$1.80
|
|
|
$1.63
|
|
|
$1.38
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3
- IPP65R225C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.27
-
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R225C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3
|
|
|
|
|
$3.27
|
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|
$2.11
|
|
|
$1.50
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$1.26
|
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Ver
|
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$1.17
|
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$1.10
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Min.: 1
Mult.: 1
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPP80R1K4P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.03
-
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP80R1K4P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
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$2.03
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$1.28
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$0.838
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$0.664
|
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Ver
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$0.589
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|
$0.539
|
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$0.518
|
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$0.50
|
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
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|
|
MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
- IPW60R070CM8XKSA1
- Infineon Technologies
-
Disponibilidad restringida
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070CM8XKSA
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
|
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
- IPW65R045C7
- Infineon Technologies
-
1:
$11.24
-
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R045C7
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
|
|
|
|
|
$11.24
|
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$8.52
|
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$7.10
|
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$6.32
|
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$5.91
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPW65R145CFD7AXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.73
-
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R145CFD7AX1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
|
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|
$5.73
|
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$3.76
|
|
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$2.76
|
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|
$2.46
|
|
|
$2.18
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPZA60R060P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.13
-
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R060P7XKSA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
|
|
|
$7.13
|
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$5.70
|
|
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$4.62
|
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$4.09
|
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|
$3.63
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPZA60R099P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.74
-
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R099P7XKSA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
|
|
|
$6.74
|
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$4.41
|
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$3.25
|
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$2.89
|
|
|
$2.56
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- SPD03N50C3ATMA1
- Infineon Technologies
-
Disponibilidad restringida
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD03N50C3ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP
- IPA50R140CPXK
- Infineon Technologies
-
500:
$1.93
-
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R140CPXK
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP
|
|
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
|
|
|
|
|
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
- IPA60R190P6XKSA1
- Infineon Technologies
-
Disponibilidad restringida
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R190P6XKSA1
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3
- IPA60R380P6
- Infineon Technologies
-
1:
$2.18
-
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R380P6
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3
|
|
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
|
|
|
$2.18
|
|
|
$1.40
|
|
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$0.964
|
|
|
$0.816
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.682
|
|
|
$0.65
|
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
- IPA60R600P6XKSA1
- Infineon Technologies
-
Disponibilidad restringida
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R600P6XKSA1
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
- IPB50R140CPATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.80
-
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB50R140CPATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
|
|
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
|
|
|
$4.80
|
|
|
$3.18
|
|
|
$2.26
|
|
|
$2.00
|
|
|
$1.87
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP
- IPB50R199CP
- Infineon Technologies
-
1:
$3.69
-
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB50R199CP
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP
|
|
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
|
|
|
$3.69
|
|
|
$2.41
|
|
|
$1.88
|
|
|
$1.58
|
|
|
$1.37
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2
- IPB65R110CFDA
- Infineon Technologies
-
1,000:
$2.95
-
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R110CFDA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2
|
|
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
- IPI60R199CPXKSA2
- Infineon Technologies
-
1:
$3.69
-
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPI60R199CPXKSA2
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
|
|
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
|
|
|
$3.69
|
|
|
$1.88
|
|
|
$1.70
|
|
|
$1.45
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
- IPP60R160P6XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.37
-
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R160P6XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
|
|
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
|
|
|
$3.37
|
|
|
$1.70
|
|
|
$1.54
|
|
|
$1.28
|
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- IPP65R420CFDXKSA2
- Infineon Technologies
-
1:
$2.43
-
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R420CFDXKSA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
|
|
|
$2.43
|
|
|
$1.19
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.857
|
|
|
$0.817
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPU80R2K0P7AKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.46
-
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R2K0P7AKMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
|
|
|
$1.46
|
|
|
$0.915
|
|
|
$0.596
|
|
|
$0.459
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.415
|
|
|
$0.377
|
|
|
$0.354
|
|
|
$0.343
|
|
|
$0.333
|
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
- IPW60R125P6
- Infineon Technologies
-
1:
$5.13
-
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
Plazo de entrega 8 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125P6
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
|
|
Plazo de entrega 8 Semanas
|
|
|
$5.13
|
|
|
$3.41
|
|
|
$2.71
|
|
|
$2.40
|
|
|
$2.13
|
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
- IPW60R190P6FKSA1
- Infineon Technologies
-
Disponibilidad restringida
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R190P6FKSA1
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM
- IPZ60R099P6FKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.42
-
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPZ60R099P6FKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM
|
|
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
|
|
|
$6.42
|
|
|
$3.72
|
|
|
$3.11
|
|
|
$3.10
|
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
- IPA60R380E6
- Infineon Technologies
-
1:
$2.43
-
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R380E6
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
|
|
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
|
|
|
$2.43
|
|
|
$1.19
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.856
|
|
|
$0.816
|
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|