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Resultados: 676
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS E6
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS C6
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V TO-220FP-3
Hoja de datos
Plazo de entrega 8 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 23.8A D2PAK-2 CoolMOS C6
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 23.8A D2PAK-2 CoolMOS C6
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 3.2A DPAK-2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 3.2A DPAK-2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25A I2PAK-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 500
Mult.: 500

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A I2PAK-3
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 500
Mult.: 500

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 20.2A TO220-3
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 500
Mult.: 500

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 20.2A TO220-3
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 240
Mult.: 240


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
Plazo de entrega 8 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 38A TO247-3
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 240
Mult.: 240


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
Plazo de entrega 11 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 21A I2PAK-3
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1