|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2
- IPB65R190CFDAATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.48
-
775En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R190CFDAATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2
|
|
775En existencias
|
|
|
$4.48
|
|
|
$2.96
|
|
|
$2.10
|
|
|
$1.86
|
|
|
$1.74
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
- IPB65R310CFDA
- Infineon Technologies
-
1:
$3.18
-
30En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R310CFDA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
|
|
30En existencias
|
|
|
$3.18
|
|
|
$2.07
|
|
|
$1.59
|
|
|
$1.34
|
|
|
$1.15
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPD80R2K0P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.45
-
1,050En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K0P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
1,050En existencias
|
|
|
$1.45
|
|
|
$0.911
|
|
|
$0.602
|
|
|
$0.465
|
|
|
$0.436
|
|
|
$0.337
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPD80R4K5P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.21
-
2,170En existencias
-
1,830En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R4K5P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
2,170En existencias
1,830En pedido
|
|
|
$1.21
|
|
|
$0.75
|
|
|
$0.494
|
|
|
$0.388
|
|
|
$0.30
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.332
|
|
|
$0.267
|
|
|
$0.258
|
|
|
$0.25
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN50R1K4CEATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.67
-
5,140En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R1K4CEATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
5,140En existencias
|
|
|
$0.67
|
|
|
$0.422
|
|
|
$0.284
|
|
|
$0.225
|
|
|
$0.179
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.202
|
|
|
$0.166
|
|
|
$0.149
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN70R360P7SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.54
-
164En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R360P7SATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
164En existencias
|
|
|
$1.54
|
|
|
$0.959
|
|
|
$0.625
|
|
|
$0.481
|
|
|
$0.38
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.448
|
|
|
$0.371
|
|
|
$0.359
|
|
|
$0.349
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 13A TO220-3
- IPP50R250CPXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.66
-
159En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R250CPXKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 13A TO220-3
|
|
159En existencias
|
|
|
$2.66
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.19
|
|
|
$0.953
|
|
|
$0.928
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO220-3 CoolMOS CE
- IPP50R280CE
- Infineon Technologies
-
1:
$1.64
-
872En existencias
-
996En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R280CE
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO220-3 CoolMOS CE
|
|
872En existencias
996En pedido
|
|
|
$1.64
|
|
|
$0.781
|
|
|
$0.697
|
|
|
$0.599
|
|
|
$0.477
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
- IPP60R099P6
- Infineon Technologies
-
1:
$4.97
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
376En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099P6
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
|
|
376En existencias
|
|
|
$4.97
|
|
|
$3.98
|
|
|
$3.22
|
|
|
$2.85
|
|
|
$2.53
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
- IPP60R099P6XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.70
-
220En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099P6XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
|
|
220En existencias
|
|
|
$5.70
|
|
|
$3.53
|
|
|
$3.22
|
|
|
$2.53
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPP60R280CFD7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.86
-
712En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R280CFD7XKS
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
712En existencias
|
|
|
$2.86
|
|
|
$1.43
|
|
|
$1.29
|
|
|
$1.18
|
|
|
$1.03
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPP65R099CFD7AAKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.68
-
278En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R099CFD7AAK
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
278En existencias
|
|
|
$5.68
|
|
|
$3.00
|
|
|
$2.59
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPT65R060CFD7XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.80
-
13En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R060CFD7XTM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
13En existencias
|
|
|
$6.80
|
|
|
$5.07
|
|
|
$3.61
|
|
|
$3.32
|
|
|
$3.10
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
- IPW60R041P6
- Infineon Technologies
-
1:
$9.88
-
56En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R041P6
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
|
|
56En existencias
|
|
|
$9.88
|
|
|
$7.73
|
|
|
$6.44
|
|
|
$5.73
|
|
|
$5.36
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW60R045P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.88
-
40En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R045P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
40En existencias
|
|
|
$7.88
|
|
|
$4.32
|
|
|
$3.86
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW60R099C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.40
-
170En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
170En existencias
|
|
|
$7.40
|
|
|
$4.85
|
|
|
$3.57
|
|
|
$3.17
|
|
|
$2.81
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPW60R099CPA
- Infineon Technologies
-
1:
$8.61
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
37En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099CPA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
37En existencias
|
|
|
$8.61
|
|
|
$6.26
|
|
|
$5.22
|
|
|
$4.64
|
|
|
$4.35
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
- IPW60R125P6XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.90
-
117En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125P6XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
|
|
117En existencias
|
|
|
$4.90
|
|
|
$2.75
|
|
|
$2.27
|
|
|
$2.13
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
- IPW60R160P6FKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.29
-
343En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R160P6FKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
|
|
343En existencias
|
|
|
$4.29
|
|
|
$2.38
|
|
|
$2.26
|
|
|
$1.78
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW60R180C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.63
-
219En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R180C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
219En existencias
|
|
|
$4.63
|
|
|
$3.02
|
|
|
$2.36
|
|
|
$1.98
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.83
|
|
|
$1.72
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW65R065C7
- Infineon Technologies
-
1:
$7.86
-
199En existencias
-
240En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R065C7
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
199En existencias
240En pedido
|
|
|
$7.86
|
|
|
$5.72
|
|
|
$4.76
|
|
|
$4.24
|
|
|
Ver
|
|
|
$4.01
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW65R065C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.17
-
58En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R065C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
58En existencias
|
|
|
$8.17
|
|
|
$6.54
|
|
|
$5.29
|
|
|
$4.70
|
|
|
$4.17
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 22.4A TO247-3
- IPW65R150CFDAFKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.09
-
75En existencias
-
480En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R150CFDAFKS
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 22.4A TO247-3
|
|
75En existencias
480En pedido
|
|
|
$5.09
|
|
|
$2.86
|
|
|
$2.37
|
|
|
$2.24
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW65R190C7
- Infineon Technologies
-
1:
$4.69
-
3En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R190C7
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
3En existencias
|
|
|
$4.69
|
|
|
$3.06
|
|
|
$2.40
|
|
|
$2.00
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.86
|
|
|
$1.74
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW65R190C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.68
-
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
324En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R190C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
324En existencias
|
|
|
$4.68
|
|
|
$3.05
|
|
|
$2.39
|
|
|
$2.00
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.86
|
|
|
$1.74
|
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Puerto Rico
