STMicroelectronics Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Rectificadores Ultrafast recovery 1200 V diode
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2,449En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Rectifiers Through Hole DO-247-2
STMicroelectronics Rectificadores RECTIFIER
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884En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Rectifiers Through Hole TO-247
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
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5,723En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
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2,974En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag
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692En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp
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574En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
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492En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET
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186En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 12A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
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1,000En existencias
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SiC Schottky Diodes
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 16A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
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999En existencias
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SiC Schottky Diodes
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
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1,000En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220AC-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.032Ohm 30A N-Channel
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1,248En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
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1,478En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp
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537En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
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5En existencias
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SiC MOSFETS
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Uni
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2,201En existencias
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Carrete: 5,000

SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 40 V, 9 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET
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2,805En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Carrete: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000W Transil 6V 0.2uA 15kV 8kV BI
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2,439En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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SMC (DO-214AB)

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
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178En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel -30 V, 11 mOhm typ., -45 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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2,872En existencias
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Carrete: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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251En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Triacs Sensitive 10 A High Temperature
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878En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Triacs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 600 W, 14.1 V TVS in SMB
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2,689En existencias
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Carrete: 2,500

SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
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204En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Carrete: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
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74En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Carrete: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK