STMicroelectronics Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
STMicroelectronics STPSC30G065WLY
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 30A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
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574En existencias
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SiC Schottky Diodes
STMicroelectronics STTH60200CSA1
STMicroelectronics Rectificadores Rad-Hard 2x30 A - 200 V Ultrafast Rectifier in SMD1 package - Engineering model
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18En existencias
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Rectifiers
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive dual-line unidirectional 16 V ESD protection in SOT323
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11,766En existencias
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SOT-323-3
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive dual-line unidirectional ESD protection
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27,160En existencias
MouseReel Disponible
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: 3,000

SOT-323-3
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
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37En existencias
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: 1,800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TOLL-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
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1,003En existencias
1,000En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
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1,043En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3

STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
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540En existencias
600En pedido
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: 600

IGBTs Si SMD/SMT HU3PAK-7
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
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766En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
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IGBTs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET
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496En existencias
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: 2,000

MOSFETs
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET
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910En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 3,000

MOSFETs
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
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585En existencias
600En pedido
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SiC Schottky Diodes Through Hole DO-247-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener 5 Power
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722En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Automotive 30V, dual 3A Power Schottky Rectifier
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4,059En existencias
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: 6,000

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT TO-277A
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
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185En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics TN8050H-12PI
STMicroelectronics SCR 80 A 1200 V High Temperature SCR Thyristor
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594En existencias
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SCRs
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
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841En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
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963En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs 30A 600V Fast IGBT 5kHz 1.9 VCE
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457En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3PF


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package
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2,440En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Aerospace 45 V power Schottky rectifier - Engineering model
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72En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT LCC-2B
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Aerospace 40 V 3 A power Schottky rectifier - Engineering model
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155En existencias
18En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT LCC-2B
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
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144En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT UB-4
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 60 V, 0.6 A PNP transistor - Engineering model
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21En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT UB-4
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
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27En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SMD.5