STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 24V 120A Zener SuperMESH
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1,811En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 2.5 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET
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1,487En existencias
1,952En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 88 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 57 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
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3,751En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 290 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 21.5 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2
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6,000En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 186 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
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3,070En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 750 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 115 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
Hoja de datos
2,154En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 72 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
Hoja de datos
1,263En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 65 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH
Hoja de datos
1,567En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6.2 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 46 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450 Volt 0.4 A
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3,986En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 450 V 400 mA 4.1 Ohms - 30 V, 30 V 2.3 V 10 nC - 65 C + 150 C 2 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
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687En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 21 A 158 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 50 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
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421En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 40 A 88 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 89 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp
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529En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
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1,618En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 6 A 910 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa
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406En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 44 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 175 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
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5,985En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 14 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 92 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp
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957En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 250 mOhms - 30 V, 30 V - 65 C + 150 C 192 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 600V
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913En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
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1,962En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 150 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 35 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V
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1,000En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 125 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 64 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
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939En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 34 A 93 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 56 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 5.8 A Zener SuperMESH
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2,058En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 5.8 A 2 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 46.5 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package
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2,369En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 390 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 17 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
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2,534En existencias
2,500En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 320 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 19.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0 A
Hoja de datos
3,918En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 1 A 8 Ohms - 30 V, 30 V 2.25 V 7 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET
Hoja de datos
9,518En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.5 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel