1047 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 90mA SOT-89-3 5,388En existencias
Min.: 1
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: 1,000

Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel 1 Channel 600 V 90 mA 28 Ohms - 20 V, 20 V 1.9 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 90mA SOT-89-3 4,136En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel 1 Channel 600 V 90 mA 28 Ohms - 20 V, 20 V 1.9 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 240V 260mA SOT-89-3 4,218En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel 1 Channel 240 V 260 mA 3.9 Ohms - 20 V, 20 V 1.2 V 3.7 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -250V -190mA SOT-89-3 1,848En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT-89-3 P-Channel 1 Channel 250 V 190 mA 7.7 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 240V 260mA SOT-89-3 843En existencias
3,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel 1 Channel 240 V 260 mA 3.9 Ohms - 20 V, 20 V 1.2 V 3.7 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -250V -190mA SOT-89-3
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT-89-3 P-Channel 1 Channel 250 V 190 mA 7.7 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel