4403 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 110,600En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 35 A 15.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.8V P-Channel 40,376En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 20 V 13.4 A 15.5 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 60 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SO-8 27,755En existencias
7,500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 20 V 15.4 A 14 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 66 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN7R0-60YS/SOT669/LFPAK 1,461En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 89 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 45 nC - 55 C + 175 C 117 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel