4405 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SC88 25V 1.2A 350MOH
Hoja de datos
696En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 1 Channel 25 V 1.2 A 350 mOhms - 8 V, 8 V 650 mV 1.5 nC - 55 C + 150 C 890 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 1.2A N-Channel
Hoja de datos
18,754En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 1 Channel 25 V 1.2 A 299 mOhms - 8 V, 8 V 650 mV 1.5 nC - 55 C + 150 C 630 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel