|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
- MRFE6S9060NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$92.88
-
532En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6S9060NR1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
|
|
532En existencias
|
|
|
$92.88
|
|
|
$75.77
|
|
|
$68.07
|
|
|
$68.07
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
TO-270
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power
- AFM907NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$4.75
-
15,675En existencias
-
15,000En pedido
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFM907NT1
NRND
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power
|
|
15,675En existencias
15,000En pedido
|
|
|
$4.75
|
|
|
$3.32
|
|
|
$2.85
|
|
|
$2.55
|
|
|
$2.49
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
DFN-16
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
NXP Semiconductors AFV09P350-04NR3
- AFV09P350-04NR3
- NXP Semiconductors
-
1:
$149.43
-
207En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFV09P350-04NR3
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
|
|
207En existencias
|
|
|
$149.43
|
|
|
$126.47
|
|
|
$118.56
|
|
|
$118.56
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
OM-780-4
|
|
|
|
Rectificadores en puente TEA2206T/1
- TEA2206T/1J
- NXP Semiconductors
-
1:
$3.48
-
1,915En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-TEA2206T/1J
|
NXP Semiconductors
|
Rectificadores en puente TEA2206T/1
|
|
1,915En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Bridge Rectifiers
|
|
SMD/SMT
|
SOIC-8
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
- AFM906NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$3.71
-
972En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFM906NT1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
|
|
972En existencias
|
|
|
$3.71
|
|
|
$2.56
|
|
|
$2.19
|
|
|
$2.12
|
|
|
$1.89
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
HVSON-16
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
- MRFE6VP5600HR6
- NXP Semiconductors
-
1:
$314.35
-
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR6
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
|
|
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
NI-1230
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
- AFT09MS031NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$20.18
-
486En existencias
-
500En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS031NR1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
|
|
486En existencias
500En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-270-2
|
|
|
|
Rectificadores en puente TEA2208T/1
- TEA2208T/1J
- NXP Semiconductors
-
1:
$6.40
-
1,990En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-TEA2208T/1J
|
NXP Semiconductors
|
Rectificadores en puente TEA2208T/1
|
|
1,990En existencias
|
|
|
$6.40
|
|
|
$4.12
|
|
|
$3.41
|
|
|
$3.14
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.59
|
|
|
$2.78
|
|
|
$2.59
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Bridge Rectifiers
|
|
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
- MRF1K50NR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$350.05
-
40En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50NR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
|
|
40En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
OM-1230-4
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
- AFT05MP075GNR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$32.13
-
313En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075GNR1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
|
|
313En existencias
|
|
|
$32.13
|
|
|
$26.91
|
|
|
$22.60
|
|
|
$22.60
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-270-WBG-4
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF300AN
- NXP Semiconductors
-
1:
$87.66
-
298En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF300AN
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
298En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
- AFT05MS031GNR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$33.10
-
1,311En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031GNR1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
|
|
1,311En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-270-2
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
- MRFE6VP6300HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$377.57
-
512En existencias
-
100En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP6300HR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
|
|
512En existencias
100En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
NI-780-4
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
- MW6S004NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$24.05
-
1,075En existencias
-
4,000En pedido
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
841-MW6S004NT1
NRND
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
|
|
1,075En existencias
4,000En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PLD-1.5-4
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
- MRFX1K80HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$399.80
-
46En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80HR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
|
|
46En existencias
|
|
|
$399.80
|
|
|
$346.09
|
|
|
$346.09
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
NI-1230H-4
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
- MRFX1K80NR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$349.40
-
19En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80NR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
|
|
19En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
OM-1230-4
|
|
|
|
Rectificadores en puente TEA2209T/1
- TEA2209T/1J
- NXP Semiconductors
-
1:
$6.31
-
1,162En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-TEA2209T/1J
|
NXP Semiconductors
|
Rectificadores en puente TEA2209T/1
|
|
1,162En existencias
|
|
|
$6.31
|
|
|
$4.77
|
|
|
$4.38
|
|
|
$3.95
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.82
|
|
|
$3.75
|
|
|
$3.68
|
|
|
$2.83
|
|
|
$2.82
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Bridge Rectifiers
|
|
SMD/SMT
|
SOIC-16
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
- AFT05MP075NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$51.53
-
154En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075NR1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
|
|
154En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-270-WB-4
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
- AFT05MS004NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$3.92
-
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
6,272En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS004NT1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
|
|
6,272En existencias
|
|
|
$3.92
|
|
|
$2.71
|
|
|
$2.32
|
|
|
$2.24
|
|
|
$2.16
|
|
|
$2.09
|
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-89-3
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
- AFT05MS031NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$23.32
-
517En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031NR1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
|
|
517En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-270-2
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
- AFT09MS007NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$11.83
-
943En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS007NT1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
|
|
943En existencias
|
|
|
$11.83
|
|
|
$8.39
|
|
|
$7.23
|
|
|
$6.92
|
|
|
$6.63
|
|
|
Ver
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PLD-1.5
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
- MMRF1014NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$20.49
-
484En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-MMRF1014NT1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
|
|
484En existencias
|
|
|
$20.49
|
|
|
$15.61
|
|
|
$13.96
|
|
|
$13.82
|
|
|
$13.46
|
|
|
Ver
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PLD-1.5
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
- MRF1K50HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$389.76
-
21En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50HR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
|
|
21En existencias
|
|
|
$389.76
|
|
|
$337.31
|
|
|
$337.31
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
NI-1230H-4S
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
- MRFE6VP5600HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$580.01
-
50En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
|
|
50En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
NI-1230
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
- MRFE6VP61K25HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$420.69
-
104En existencias
-
350En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25HR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
|
|
104En existencias
350En pedido
|
|
|
$420.69
|
|
|
$353.36
|
|
|
$353.36
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
NI-1230H-4
|
|
Puerto Rico
