Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
IXYS MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
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88En existencias
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: 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7L N-Channel
IXYS MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Hoja de datos
87En existencias
Más información disponible
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: 450

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L N-Channel
IXYS IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
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80En existencias
300En pedido
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IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-263-2L
IXYS IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
Hoja de datos
75En existencias
300En pedido
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IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-263AB-2
IXYS IGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD
Hoja de datos
74En existencias
300En pedido
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS Módulos MOSFET HiperFET Pwr MOSFET 70V, 340A
Hoja de datos
944En existencias
Más información disponible
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
Hoja de datos
8,959En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
Hoja de datos
805En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
Hoja de datos
1,148En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
Hoja de datos
2,003En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel
IXYS Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
Hoja de datos
408En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel
IXYS IGBTs XPT 600V IGBT 300A
Hoja de datos
686En existencias
300En pedido
Min.: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-3
IXYS IGBTs TO247 1200V 85A XPT
Hoja de datos
1,397En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
Hoja de datos
1,256En existencias
150Se espera el 05/21/2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs de SiC 1200V 80mOhm SiC MOSFET
Hoja de datos
4,159En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
Hoja de datos
3,774En existencias
1,950En pedido
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel
IXYS Módulos IGBT 1700V/85A High Voltage XPT IGBT
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441En existencias
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IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
IXYS IGBTs TO268 3KV 42A IGBT
Hoja de datos
2,747En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBTs 4000V 425ns IGBT
Hoja de datos
1,904En existencias
300En pedido
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IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS264-3
IXYS Módulos MOSFET 600V 64A
Hoja de datos
898En existencias
Min.: 1
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 72A N-CH X3CLASS
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3,528En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
IXYS Módulos IGBT Mid-Frequency Range PT IGBTs
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462En existencias
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IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 500V 800MA
Hoja de datos
21,819En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
IXYS IGBTs Disc IGBT XPT Gen4 1200V 140A TO264
Hoja de datos
2,915En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs BIMOSFET 1700V 75A
Hoja de datos
3,219En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)