Toshiba Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LVMOS SOP-8-ADV
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MOSFETs Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
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2,900En existencias
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
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2,985En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
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18,773En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DSOP-8 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
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2,870En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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45,180En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-220SM-3 P-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, N/P-CH, 30V, 4A, TSOP-F
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11,901En existencias
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MOSFETs Si

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Silicon N-channel MOS (U-MOSIX-H)
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9,240En existencias
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MOSFETs Si
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6F S-MOS(LF)
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11,778En existencias
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MOSFETs Si

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP
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26,948En existencias
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MOSFETs Si
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V
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587,193En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 160A 122nC MOSFET
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18,929En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-220SMW-3 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W
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12,987En existencias
4,745En pedido
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MOSFETs Si SMD/SMT DSOP-8 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
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4,903En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
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26,382En existencias
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: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 80V 120A
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81,344En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
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56,550En existencias
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: 5,000

MOSFETs Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
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111En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V
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142,425En existencias
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UF-6 N-Channel, P-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.92mohm(max)
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30,034En existencias
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: 5,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
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14,808En existencias
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: 5,000

MOSFETs Si SMD/SMT DSOP-8 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
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267,821En existencias
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: 4,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel, P-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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46,494En existencias
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: 2,000

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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25,796En existencias
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: 2,000

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel