HyperFET Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4 Amps 1000V 2.8 Rds
Hoja de datos
414En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 4 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.4 Rds
Hoja de datos
284En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.6 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 6A
Hoja de datos
160En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 88 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HyperFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Hoja de datos
29En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 50 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 85 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HyperFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 500 V 8 A 800 mOhms HyperFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id48 BVdass500
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 48 A 100 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 34A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 34 A 240 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 560 W Enhancement HyperFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3.6 Amps 800V 3.6 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 3.6 A 3.6 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 100 W Enhancement HyperFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 72 Amps 550V 0.07 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 550 V 72 A 72 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HyperFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 Amps 500V 0.06 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 80 A 60 mOhms - 30 V, 30 V 5.5 V 250 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HyperFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 500V 0.1 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 25
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 48 A 90 mOhms - 20 V, 20 V - 40 C + 150 C 400 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 10A
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 11 Amps 800V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 30
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 950 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 12A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 12 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1200V 1.3 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 30
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V 12A
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 60
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 12 A 1.1 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 1000V 0.9 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 30
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 12.5 A 900 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 13A
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 800 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 800V 0.8 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 30
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 700 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 250 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 900V 0.8 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 30
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 13 A 800 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14 Amps 800V 0.7 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 30
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 700 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 15 Amps 600V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 30
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 500 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 15A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 30
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 600 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 20A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 350 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 21A
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 90
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 21 A 250 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube