MOSFETs de SiC

MOSFETs de SiC
SiC MOSFETs are available at Mouser Electronics from industry leading manufacturers. Mouser is an authorized distributor for many SiC MOSFET manufacturers including Infineon, Microchip, Navitas Semiconductor, onsemi, ROHM Semiconductor, STMicroelectronics, Wolfspeed & more. Please view our large selection of SiC MOSFETs below.
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 3rd Gen TO-263-7L
Hoja de datos
1,916En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
Hoja de datos
626En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC 60MOHM 900V
Hoja de datos
1,098En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
Hoja de datos
1,262En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC 60MOHM
Hoja de datos
261En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
Hoja de datos
300En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
Hoja de datos
2,311En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 67 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V 73 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC
Hoja de datos
1,867En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6.2 A 1 Ohms - 5 V, + 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Hoja de datos
329En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 83 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 34 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement CoolSiC
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 650V 70A N-CH SIC
Hoja de datos
978En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N
Hoja de datos
Comentarios de Producto
506En existencias
450En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 56A N-CH SIC
Hoja de datos
635En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
Hoja de datos
608En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
Wolfspeed MOSFETs de SiC 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
Hoja de datos
1,174En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 108 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
Hoja de datos
671En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
Hoja de datos
611En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 61 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220-3
Hoja de datos
902En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 5 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO247-4
Hoja de datos
662En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO247
Hoja de datos
833En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N
Hoja de datos
Comentarios de Producto
376En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS 20MOHM 900V
Hoja de datos
1,859En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 900 V 112 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 477 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
Hoja de datos
256En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
1,802En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 66 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
568En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-3
Hoja de datos
646En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET